序論

1 はじめに
2 日本の半導体産業とプロセス材料・ケミカルス
3 前工程のプロセス材料とケミカルス
4 後工程のプロセス材料とケミカルス
5 今後の展望

第1編 前工程

第1章 ウェーハ基板

1 大口径シリコンウェーハ—次世代シリコンウェーハに求められる技術課題のポイント—
1.1 はじめに
1.2 結晶の完全性
1.2.1 デバイス歩留まり低下の原因は?
1.2.2 欠陥発生のメカニズムは何か?
1.2.3 欠陥の少ないウェーハ形成の他の手段は?
1.3 平坦度
1.3.1 ウェーハの平坦度の加工手段はどのように変遷してきたか?
1.3.2 研削加工技術に期待をかける理由は何か?
1.3.3 延性モード研削は可能か?
1.4 清浄度
1.4.1 RCA洗浄法の問題点は何か?
1.4.2 機能水を用いた枚葉処理のスピン洗浄に落ち着くか?
1.5 大口径化—次世代ウェーハ(口径400mm〜450mm)の技術的可能性は?
1.6 おわりに

2 シリコンウェーハの表面高品質化技術
2.1 はじめに
2.2 超平坦化技術
2.3 アニール技術
2.4 洗浄プロセス
2.5 結論

3 化合物半導体　GaAs
3.1 はじめに
3.2 プロセスの概要
3.3 GaAsの特性
3.4 原料合成
3.5 単結晶成長
3.6 熱処理
3.7 ウエハー加工および洗浄

4 化合物半導体　GaP
4.1 はじめに
4.2 GaP基板の製造
4.3 従来LED用基板
4.3.1 GaP赤色LED
4.3.2 GaP黄緑色,緑色LED
4.3.3 GaP純緑色LED
4.3.4 GaAsP赤色,橙色LED
4.4 高輝度LED用基板
4.4.1 AlGaInP赤色,橙色,緑色LED
4.5 まとめ

5 化合物半導体　SiC
5.1 はじめに
5.2 高品質基板の開発
5.3 半絶縁性基板の開発
5.4 エピタキシャル基板の開発
5.5 まとめ

第2章 成膜・配線形成材料

1 ターゲット材
1.1 はじめに
1.2 ターゲットの純度
1.3 パーティクルの低減
1.4 ハイパワースパッタ対応
1.5 ターゲットの大口径化と異形状ターゲットへの対応
1.6 先端プロセス用ターゲット
1.6.1 Cu, Taターゲット
1.6.2 Ni, Ni合金ターゲット
1.6.3 Wターゲット
1.6.4 Hf, Zrターゲット
1.7 おわりに

2 CVD・ALD用成膜材料
2.1 概要
2.2 High-k材料
2.3 low-k材料

3 CVD材料・ガス
3.1 はじめに
3.2 CVD成膜法
3.3 CVD成膜用材料ガス
3.3.1 熱CVD用材料ガス
3.3.2 PE (Plasma-Enhanced) CVD用材料ガス
3.3.3 MOCVD用材料ガス
3.3.4 ALD用材料ガス
3.4 CVD用材料ガスの危険性と法的規制
3.5 クリーニングガス
3.6 おわりに

4 イオンドーピングガス
4.1 はじめに
4.2 SDSの原理と特徴
4.3 SDSの安全性について
4.4 SDSの経済性について
4.5 今後の展望

第3章 フォトマスク

1 超解像用フォトマスク
1.1 はじめに
1.2 位相シフトマスク
1.3 EUVマスク
1.3.1 EUVマスクの特徴
1.3.2 吸収層,バッファ層のパターンニング技術
1.3.3 吸収層のパターン欠陥修正技術
1.4 おわりに

2 次世代リソグラフィー用マスク
2.1 はじめに
2.2 電子ビーム露光用マスク
2.3 縮小X線露光用マスク
2.4 ナノインプリント用マスク
2.5 おわりに

第4章 リソグラフィー材料・ケミカルス

1 液浸リソグラフィー用材料
1.1 はじめに
1.2 液浸リソグラフィープロセスでの問題点とその対策
1.3 液浸用保護膜
1.4 液浸用レジスト
1.5 まとめ

2 フォトレジスト材料に求められる技術開発
2.1 はじめに
2.2 ポジ型レジストの性能ポテンシャル向上技術整理　—従来知見—
2.3 「画像形成(溶解コントラスト発現)メカニズム」
2.4 インヒビション向上施策
2.4.1 「ホスト-ゲストモデル」
2.4.2 「蛸壷モデル」
2.4.3 「タンデムノボラック樹脂」と「石垣モデル」
2.4.4 「選択溶解モデル」
2.4.5 「選択エステル感光剤」—NQD感光剤分子構造の最適化—
2.5 「NQD感光剤のCEL効果」
2.6 「ポジ型化学増幅レジスト」—KrFエキシマレーザー用—
2.6.1 ポジ型化学増幅レジスト構成成分
2.6.2 「光酸発生剤」
2.6.3 「KrF2成分レジスト用酸分解性樹脂」
2.6.4 「塩基性化合物」
2.7 「ポジ型化学増幅型レジスト」—ArFエキシマレーザー用—
2.7.1 「ArF2成分レジスト用酸分解性樹脂」—ドライエッチング耐性と透明性の両立化—
2.8 LWR性能の新規解析手法について
2.9 ArFレジストのLWR性能改良について
2.10 おわりに

3 厚膜および特殊用途向けフォトレジストについて
3.1 はじめに
3.2 フォトレジストの厚膜化が困難である理由について
3.3 厚膜レジストを高機能化するための感光剤の改善内容について
3.4 高解像/高耐熱厚膜ポジ型フォトレジストNPR9800シリーズ
3.5 逆テーパー形状ポジ型フォトレジストNPR9700シリーズ,NPR9600Lシリーズ(2層)
3.6 Low-γ型フォトレジスト(3D加工用フォトレジスト)
3.7 おわりに

第5章 エッチング液・ガス

1 半導体製造プロセスにおけるエッチング液
1.1 はじめに
1.2 汎用エッチング液
1.2.1 Siエッチング液
1.2.2 SiNエッチング液
1.3 機能性エッチング液
1.3.1 High-k選択エッチング液
1.3.2 Ruエッチング液
1.3.3 Auエッチング液
1.4 おわりに

2 エッチング液(ウェットエッチング)〜三菱化学
2.1 はじめに
2.2 ウェットエッチング液の一般的特徴
2.3 ウェットエッチング液での反応速度の考え方
2.4 ウェットエッチングにて起こる電蝕(ウェットエッチングのガルバニック効果)
2.5 高機能を付加させた三菱化学のウェットエッチング液(異種金属積層膜での電蝕防止)
2.5.1 Au配線とCr, Ni/Cr下地膜との積層系,またはTi, W(Ti)下地膜との積層系
2.5.2 Cu配線とMo下地膜との積層系,またはTi, W(Ti)下地膜との積層系
2.5.3 Au/Pd配線とTi下地膜との積層系
2.6 おわりに
3 エッチングガス 深江功也
3.1 はじめに
3.2 シリコンデバイスの加工
3.3 酸化膜微細エッチングガス

第6章 CMP研磨材料

1 CMP研磨剤
1.1 はじめに
1.2 ILD/PMD (Pre-Metal Dielectric)—CMP用スラリーの展望
1.3 STI-CMP用スラリーの展望
1.4 Cu-CMP用,バリア-CMP用スラリーの展望
1.5 おわりに

2 CMPスラリー〜ATMI社

3 CMP研磨パッドの材料技術とその展望
3.1 はじめに
3.2 研磨パッドの構造分類
3.3 研磨パッドへの要求性能
3.4 研磨パッドの性能における制御因子
3.5 CMP研磨パッド表面の化学組成からのアプローチ
3.6 CMP研磨パッドの概念と課題
3.7 CMP研磨パッドの現状と今後の展望

4 CMPパッドコンディショナー
4.1 CMPパッドのコンディショニング
4.2 コンディショニング方法
4.3 マクロスクラッチ
4.4 金属汚染
4.5 カットレートと研磨特性
4.6 まとめ

第7章 洗浄剤

1 洗浄液 森清人
1.1 はじめに
1.2 FEOL, BEOLの各種洗浄剤
1.2.1 FEOL洗浄
1.2.2 BEOL洗浄
1.3 おわりに

2 高機能洗浄剤〜三菱化学
2.1 はじめに
2.2 微量汚染の吸着・脱離機構
2.2.1 汚染の脱離
2.2.2 汚染の再付着防止
2.2.3 下地膜のエッチング
2.3 最新ウェット洗浄技術
2.3.1 RCA代替洗浄(高清浄化と低コスト化の両立)
2.3.2 枚葉化対応
2.3.3 新材料対応
2.4 おわりに

3 銅配線用CMP後洗浄剤〜ATMI社
3.1 はじめに
3.2 洗浄対象とメカニズム
3.2.1 有機残渣
3.2.2 パーティクル
3.2.3 金属イオン
3.3 洗浄時に起こる課題と対策
3.3.1 ウォーターマーク
3.3.2 層間絶縁膜へのダメージ
3.3.3 銅の腐食

4 超純水・機能水
4.1 はじめに
4.2 超純水
4.2.1 前処理システム
4.2.2 一次純水システム
4.2.3 サブシステム
4.2.4 水質評価技術
4.2.5 排水回収システム
4.3 機能水
4.3.1 水素水
4.3.2 オゾン水
4.4 おわりに

5 洗浄用機能水
5.1 はじめに
5.2 洗浄プロセスにおける機能水の利用とその効果
5.2.1 ウルトラクリーンな表面と汚染除去メカニズム
5.2.2 機能水洗浄
5.3 省液・省スペースを実現する洗浄ノズルとその効果
5.4 まとめ

第2編 後工程

第8章 実装基板

1 エポキシ樹脂銅張積層板
1.1 市場動向
1.2 エポキシ樹脂銅張積層板
1.3 エポキシ樹脂
1.4 硬化剤ほか
1.5 ガラス布
1.6 銅箔
1.7 CAF特性
1.8 高Tg高弾性低熱膨張多層材料
1.9 まとめ

2 BTレジン銅張積層板
2.1 BTレジンとは
2.2 BTレジンの製法
2.3 BTレジン銅張積層板
2.4 パッケージ材料用BTレジン銅張積層板(CCL-HL830, CCL-HL832, CCL-HL832HS)
2.5 ハロゲンフリ-BTレジン銅張積層板(CCL-HL832NX)
2.6 その他のBTレジン銅張積層板
2.7 おわりに

3 TABテープ(TCP, COF)
3.1 はじめに
3.2 TABテープの特徴
3.2.1 ギャングボンディング
3.2.2 薄型,小型パッケージ
3.2.3 Reel to Reel
3.3 用途
3.4 材料と構造
3.4.1 TCPテープ(3層TAB)
3.4.2 COFテープ
3.5 工程
3.6 品質項目
3.7 課題

4 TAB用接着テープ
4.1 はじめに
4.2 TAB用接着テープの特徴
4.3 TAB用接着テープの用途と要求特性
4.3.1 TCPパッケージへの適用
4.3.2 BGA/CSPパッケージへの適用
4.4 東レTAB用接着テープの特徴
4.4.1 ベースフィルムおよび生産技術
4.4.2 TCPパッケージ用接着剤
4.4.3 BGA/CSP用接着テープ
4.5 おわりに

5 リードフレーム用銅合金の技術動向と今後の展望
5.1 はじめに
5.2 リードフレーム用材料の基本特性
5.2.1 強度と導電率
5.2.2 リード加工性
5.3 次世代のリードフレーム材料
5.4 各半導体パッケージ向けリードフレーム材料と今後の動向
5.4.1 リードタイプパッケージ
5.4.2 エリアアレイパッケージ用メタルサブストレート
5.4.3 表面実装型ディスクリート半導体
5.4.4 スルーホール挿入型ディスクリート半導体
5.5 今後のリードフレーム開発動向

6 リードフレーム・メタルサブストレート
6.1 はじめに
6.2 リードフレーム概要(エッチング工法とスタンピング工法)
6.3 金属材料(リードフレーム材料)
6.4 リードフレームの製造工程
6.4.1 エッチング工程
6.4.2 めっき工程
6.4.3 後加工
6.5 メタルサブストレートの製造技術
6.5.1 一括封止用メタルサブストレート
6.5.2 ディスクリート.LED用メタルサブストレート
6.5.3 高精度部分Agめっき
6.5.4 密着性向上:フレーム粗化技術
6.6 メタルサブストレートの技術動向
6.6.1 外部端子の多列化
6.6.2 新構造のメタルサブストレート(めっきタイプ,端子転写タイプ)
6.7 おわりに

7 ポリイミドコーティング剤〜東レ
7.1 はじめに
7.2 製品の概要
7.3 東レポジ型感光性ポリイミドコーティング剤の製品紹介
7.4 次世代向け感光性ポリイミドコーティング剤

第9章 ボンディング材料

1 半導体製造プロセスにおける粘接着テープの最新動向
1.1 はじめに
1.2 開発背景
1.3 高密度実装型パッケージ製造プロセス概要
1.4 バックグラインディングプロセス
1.5 ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム
1.6 レーザ・ダイシング方式対応型ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム
1.7 ウエハレベルCSP用裏面保護フィルム
1.8 半導体用粘接着テープ今後の展望

2 高機能金ボンディングワイヤ
2.1 はじめに
2.2 高密度実装用ワイヤ
2.3 低温接合用ワイヤ
2.4 車載IC用途での高信頼性ワイヤ
2.5 高信頼性ワイヤ

3 BGA・CSP用鉛フリーはんだボール—LF35・高耐落下衝撃性鉛フリーはんだボール
3.1 はじめに
3.2 LF35鉛フリーはんだボールの耐落下衝撃特性
3.3 LF35の高耐落下衝撃特性メカニズムに掛る考察
3.3.1 微量添加元素
3.3.2 LF35高耐落下衝撃特性の本質
3.4 おわりに

4 BGA/CSP/FC用はんだボール
4.1 はじめに
4.2 はんだボール製造法
4.3 小径ボール搭載方法の開発
4.4 FCはんだ接合部の接続信頼性改善
4.5 おわりに

第10章 封止材料

1 フリップチップ用封止材と圧縮成形用材料
1.1 はじめに
1.2 フリップチップ用エポキシ樹脂封止材
1.2.1 SF材への基本要求特性
1.2.2 Low-k層間絶縁膜へのSF材要求特性
1.2.3 鉛フリーハンダへのSF材要求特性
1.2.4 Low-k/鉛フリー複合パッケージへの要求特性
1.3 一括封止用エポキシ樹脂封止材
1.3.1 圧縮成形法
1.3.2 低反りへのアプローチ
1.3.3 その他低反り手法
1.4 今後の取り組み

2 半導体封止樹脂について
2.1 エポキシ樹脂封止材料
2.2 半導体封止樹脂の課題
2.3 環境への対応
2.3.1 鉛フリーはんだへの対応
2.3.2 ハロゲンフリーへの対応
2.4 エリアアレイパッケージ対応
2.4.1 樹脂に要求される特性
2.5 京セラケミカルの現状
2.6 今後の展開
2.7 おわりに