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シーエムシー出版主催セミナー2020年2月28日開催


次世代パワー半導体の開発動向と応用展望


★本セミナーは新型コロナウイルスへの対応として、急遽中止をさせていただくことになりました。
 ご理解のほど、よろしくお願い申し上げます。(2020年2月27日)

★車載、5G用途で拡大するパワー半導体市場!今後求められる特性や課題は?
★SiC、GaNに続く新たな半導体として注目を浴びる酸化ガリウム!その開発状況と今後の展望は?

日 時 2020年2月28日(金)
12:30 受付開始 

講演時間13:20-16:30
名刺交換、交流会(30分程度)16:30~     

会 場 東京都千代田区内神田1-3-1 高砂ビル2F
弊社FORUM会場


【地下鉄】
・東京メトロ 大手町駅下車 C1出口から徒歩5分
・東京メトロ 竹橋駅下車 3b出口から徒歩8分
・都営新宿線 小川町駅下車 B6出口から徒歩10分
【JR】
・神田駅下車 西口から徒歩10分
定 員 30名

聴講料 15,000円/1名
(税込、テキスト代込)



セミナー
コード
V1195




第1部

13:20
  |
15:20
「次世代パワーデバイス開発の最新状況と今後の動向」
筑波大学 数理物質系 教授
岩室憲幸 先生

<概要>
EVやPHVの性能を決める基幹部品であるパワーデバイスでは、SiC/GaNデバイスの普及が大いに期待されている。しかし性能、信頼性、さらには価格の面で市場の要求に十分応えられていない。最強の競争相手であるシリコンデバイスからSiC/GaN開発の現状と今後の動向について、市場予測を含め丁寧に解説する。

<目次>
1.パワーエレクトロニクス・パワーデバイスの基礎
 1.1. パワエレ&パワーデバイスの仕事
 1.2. パワーデバイスの適用分野
 1.3 パワーデバイス開発のポイント
2.最新シリコンパワーデバイスの進展と課題
 2.1 パワーデバイス市場の現在と将来
 2.2 シリコンMOSFET開発状況
 2.3 シリコンIGBT開発状況
3. SiCパワーデバイスの特性と最新技術
 3.1 SiC、GaNのシリコンに対する利点
 3.2 なぜ各社はSiC-IGBTではなくSiC-MOSFETを開発するのか?
 3.3 SiC-SBDそしてSiC-MOSFET開発へ
 3.4 最近のSiC-MOSFETトピックス
4. GaNパワーデバイスの最新技術と今後
 4.1 SiCとGaNデバイスの狙う市場(EV, PHV, 5Gなど)
 4.2 GaN-HEMTデバイスの特徴と課題
 4.3 縦型GaNデバイスの最新動向



第2部

15:30
  |
16:30
「酸化ガリウムパワー半導体の特性と実用化への展望」

(国研)情報通信研究機構 未来ICT研究所 グリーンICTデバイス先端開発センター センター長
東脇正高 先生

<概要>
酸化ガリウムパワーデバイスの位置づけ・魅力からそのポテンシャル・長短所および、最近の材料、デバイス(トランジスタ、ショットキーバリアダイオード)の研究開発状況、今後に向けた課題および展望などについて解説いたします。

<目次>
1.はじめに
 1.1. 酸化ガリウム (Ga2O3) の材料的特徴とポテンシャル(SiC, GaNとの比較から)
 1.2. 将来的な Ga2O3デバイスの用途
2.Ga2O3エピタキシャル薄膜成長技術の研究開発状況
 2.1. MBE
 2.2. HVPE
 2.3. MOCVD
3.Ga2O3ショットキーバリアダイオードの研究開発状況
4.Ga2O3トランジスタの研究開発状況
5.まとめ、実用化への展望・課題



『次世代パワー半導体の開発動向と応用展望』セミナー



お申し込みの方は、下記の申し込み欄をEメールにコピーし、※印の必要事項をご記入のうえ、
seminar-info@cmcbooks.co.jp あてにご送信お願いいたします。
お申し込み後に,聴講券,会場地図,請求書を送付いたします。
一週間程お時間をいただきますが届かない場合はご連絡ください。
また,開催日2 営業日前以降のキャンセルは承りかねます。詳しくはセミナー申込み規約をお読みくだい。
(シーエムシー出版 東京都千代田区神田錦町1-17-1 TEL 03-3293-2061,FAX 03-3293-2069)


◆ご注文情報◆--------------------------------------------------
【商品名】 :次世代パワー半導体の開発動向と応用展望
【商品コード】:V1195
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