第1章 次世代パワー半導体の開発動向とモジュール化技術動向
1 次世代パワー半導体の開発動向(菅沼克昭)
1.1 次世代パワー半導体の魅力
1.2 パワー半導体の実装と信頼性課題
2 次世代パワー半導体のモジュール化技術動向(山口浩)
2.1 パワーモジュール化の魅力
2.2 パワーモジュールの構造
2.3 モジュール技術への高度化要求
2.4 機能集積化(IPM化)への期待
2.5 まとめ

第2章 ワイヤボンド・ダイアタッチ技術
1 ワイドバンドギャップパワー半導体ダイアタッチ技術(菅沼克昭)
1.1 ダイアタッチ
1.2 鉛フリー高温はんだ
1.3 TLP接合
1.4 金属焼結接合
1.5 固相接合とストレスマイグレーション接合
1.6 これから
2 高温ダイアタッチ向けCu被覆Zn/Alクラッド接合材(山口拓人 / 小田祐一)
2.1 緒言
2.2 Zn/Al/Znクラッド材
2.3 Zn/Alクラッド材へのCu被覆効果の検証
2.4 Cu/Al/Zn/Al/Cuクラッド材の接合性・接合信頼性
2.5 結言
3 酸化銀,酸化銅ペーストを用いた低温焼結接合(廣瀬明夫)
3.1 はじめに
3.2 酸化銀ペーストを用いた接合技術
3.3 酸化銀と酸化銅の混合ペーストを用いた接合技術
3.4 おわりに
4 パワーモジュールにおける高信頼ワイヤボンド技術(中島泰)
4.1 パワーデバイスの表面電極への接合技術
4.2 ワイヤボンドの接合プロセス
4.3 ワイヤボンド接合部の初期信頼性
4.4 ワイヤボンド接合部の長期信頼性
4.5 ワイヤボンド接合部の高信頼化
4.6 ダイレクトリード接合技術

第3章 樹脂技術
1 モールド樹脂技術(杉岡卓央)
1.1 はじめに
1.2 封止材に対する要求特性
1.3 ナノコンポジット技術を用いた高耐熱材料の開発状況
2 半導体封止用エポキシ樹脂成形材料の展開(吉田顕二)
2.1 はじめに
2.2 半導体封止用エポキシ樹脂材料の概要
2.3 半導体封止用エポキシ樹脂成形材料の難燃性
2.4 半導体封止用エポキシ樹脂成形材料の高耐熱化
2.5 おわりに
3 パワーデバイス用エポキシ樹脂の開発(中西政隆)
3.1 はじめに
3.2 耐熱性
3.3 耐熱分解特性
3.4 最後に
第4章 絶縁基板技術
1 パワー半導体用セラミック基板技術(平尾喜代司)
1.1 はじめに
1.2 メタライズ放熱基板と高熱伝導性セラミックス
1.3 メタライズ放熱基板の残留応力と使用環境下での熱応力
1.4 温度サイクル試験によるメタライズ放熱基板の信頼性評価
1.5 モジュール設計のための基盤的な研究について
1.6 まとめ
2 パワー半導体向け高強度・高熱伝導窒化ケイ素基板
(草野大 / 周游 / 日向秀樹)
2.1 諸言
2.2 高熱伝導化のコンセプト
2.3 酸素量制御による高熱伝導窒化ケイ素の開発
2.4 反応焼結・ポスト焼結手法を用いた窒化ケイ素の高熱伝導化
2.5 反応焼結・ポスト焼結手法による薄板基板の製造
3 パワー半導体向けセラミック基板(米村直己)
3.1 パワーモジュールの変遷と適用される基板
3.2 回路基板概要
3.3 放熱板/MMC(金属―セラミック複合体)
4 パワー半導体用セラミックパッケージ(中本真二)
4.1 セラミックパッケージとは
4.2 パワー半導体用セラミックパッケージ
4.3 電気的・熱的特性
4.4 高温信頼性
4.5 おわりに
5 次世代パワー半導体用高性能絶縁回路基板「Ag焼成膜付きDBA基板」(長友義幸)
5.1 緒言
5.2 Al回路上への新規表面処理のコンセプト
5.3 ガラス物性と密着強度の相関
5.4 ガラスフリット含有量の最適化
5.5 ダイボンディング試験
5.6 冷熱サイクル信頼性
5.7 結言

第5章 冷却・放熱技術
1 パワー半導体の冷却技術(古川裕一)
1.1 パワー半導体の冷却における留意点
1.2 「冷却」から見た次世代パワー半導体
1.3 次世代半導体の課題
1.4 次世代パワー半導体の冷却の考え方
1.5 次世代半導体冷却への適用が期待される技術
1.6 高温動作実現のために望まれる材料開発
2 超高熱伝導グラファイトシート,及びグラファイトプレート(松本一昭)
2.1 はじめに
2.2 グラファイトの特徴
2.3 超高熱伝導グラファイトシートの作製と物性
2.4 超高熱伝導グラファイトシートの特性
2.5 超高熱伝導グラファイトシートのアプリケーションへの利用方法
2.6 超高熱伝導グラファイトシートのアプリケーションへの応用例
2.7 グラファイトプレート
2.8 おわりに
3 両面放熱パワーモジュール「パワーカード」の実装技術(神谷有弘)
3.1 カーエレクトロニクスへの要求
3.2 車載用小型インバータにおける実装技術
3.3 将来動向

第6章 受動部品
1 高温スナバコンデンサ用誘電体の材料科学
(鶴見敬章 / 保科拓也 / 武田博明 / 斉藤賢二)
1.1 諸言
1.2 第一原理計算による材料設計
1.3 セラミックス誘電体の絶縁破壊機構とその温度依存性
1.4 積層型スナバコンデンサの開発
1.5 結論
2 次世代パワー半導体用抵抗体の開発
(土屋哲男 / 篠田健太郎 / 中島智彦 / 中村吉伸 / 宮山勝)
2.1 はじめに
2.2 現状の抵抗器とその材料
2.3 新規抵抗体材料,製造法の開発
2.4 抵抗体の局所物性評価
2.5 まとめ

第7章 信頼性評価・検査技術
1 パワー半導体の信頼性試験について
(青木雄一 / 有井一伸 / 岡本学 / 鈴木智也)
1.1 はじめに
1.2 パワー半導体の信頼性課題
1.3 高温に対する温度サイクル試験
1.4 接合材料の熱特性評価
1.5 パワーサイクル試験
1.6 パワーサイクル試験の試験条件と劣化進行の特徴について
1.7 最後に
2 ロックインサーモグラフィの概要とそのパワー半導体への応用(吉井一郎)
2.1 はじめに
2.2 パワーデバイスにおける非破壊検査の重要性
2.3 ロックインサーモグラフィの概要
2.4 パワーデバイスへの適用事例
2.5 まとめ
3 ラマン分光法を用いたSiCパワー半導体の応力評価(杉江隆一)
3.1 はじめに
3.2 各種応力評価手法
3.3 4H-SiCのラマン散乱と応力評価原理
3.4 実験方法
3.5 結果と考察
3.6 結論
4 SiC等大電流パワーモジュール用実装材料評価(高橋昭雄)
4.1 パワーデバイスと実装技術動向
4.2 パワーモジュール実装材料評価用プラットホーム
4.3 SiCパワーモジュール用実装材料評価
4.4 今後の課題
5 パワー半導体モジュールの評価試験方法(山田靖)
5.1 はじめに
5.2 熱特性の評価試験方法
5.3 電気特性の評価試験方法
5.4 信頼性の評価試験方法
5.5 最後に
6 パワー半導体の信頼性・シミュレーション(于 強)
6.1 はじめに
6.2 解析手法
6.3 解析モデルおよび解析条件
6.4 解析結果
6.5 まとめ
7 パワーLED用実装基板における放熱性評価(米村直己)
7.1 はじめに
7.2 高輝度LED用電子回路基板規格における放熱性評価
7.3 まとめ
8 パワー半導体の過渡熱抵抗測定(原智章)
8.1 背景
8.2 過渡熱測定時の配線方法
8.3 SiCデバイスの過渡熱測定における課題と対処方法
8.4 まとめ
9 パワー半導体のアプリケーションとその評価計測技術(南裕樹)
9.1 はじめに
9.2 パワー半導体のアプリケーション例
9.3 パワーコンディショナにおける測定対象
9.4 測定器の選択
9.5 測定におけるポイントと信頼性
9.6 おわりに