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EUV光源の開発と応用《普及版》

Development and application of extreme ultraviolet light source(Popular Edition)

★2007年刊「EUV光源の開発と応用」の普及版!

商品コード:
B1027
監修:
豊田浩一/岡崎信次
発行日:
2013年3月8日
体裁:
B5判・273頁
ISBNコード:
978-4-7813-0709-1
価格(税込):
4,840
ポイント: 44 Pt
関連カテゴリ:
テクニカルライブラリシリーズ(普及版)

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キーワード:

露光装置とEUVリソグラフィ/EUVリソグラフィ用光源プラズマ/高出力レーザー生成プラズマEUV光源/最小質量ターゲットと供給法 [EUVリソグラフィ用のマスクとレジスト技術] EUV用マスク/EUV用レジスト材料/コンタミネーション制御技術

刊行にあたって

<普及版の刊行にあたって>
本書は2007年に『EUV光源の開発と応用』として刊行されました。普及版の刊行にあたり、内容は当時のままであり加筆・訂正などの手は加えておりませんので、ご了承ください。

シーエムシー出版 編集部

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目次 +   クリックで目次を表示

第I編 EUV光源の開発
 第1章 露光装置とEUVリソグラフィ
  1 はじめに
  2 露光装置
  3 EUV露光装置
   3.1 EUV露光装置とは
   3.2 EUV露光装置の構成と特徴
    3.2.1 装置構成
    3.2.2 照明光学系
    3.2.3 投影光学系
    3.2.4 ステージおよびその他の技術
    3.2.5 露光装置の仕様
   3.3 EUV露光装置の要素技術
    3.3.1 高精度面形状加工技術
    3.3.2 多層膜技術
    3.3.3 コンタミネーション技術
   3.4 EUV露光装置用光源の仕様
  4 おわりに
 第2章 EUVリソグラフィ用光源プラズマ
  1 はじめに
  2 EUV光源プラズマに関する基本的考察
  3 高効率光源の条件
   3.1 13nm帯の発光スペクトル,吸収スペクトル
   3.2 レーザープラズマからのEUV放射:シミュレーションによる解析
   3.3 レーザープラズマからのEUV放射特性:実験結果
   3.4 EUV光への変換効率の最適条件
  4 デブリ放出特性
   4.1 イオン放出特性
   4.2 中性原子の放出特性
  5 最少質量ターゲット
  6 おわりに
 第3章 プラズマ励起用高出力固体レーザー開発の現状
  1 はじめに
  2 固体レーザー材料
   2.1 パルスレーザー材料の性能評価
   2.2 レーザーセラミック材料
  3 固体レーザー励起用LD
  4 システム構成と熱問題
  5 フロントエンド・発振器段
   5.1 ナノ秒域ファイバー発振器部
   5.2 ピコ秒域ファイバー発振器部
  6 予備増幅器段
  7 主増幅器部
   7.1 ロッド増幅器の均一励起
   7.2 ロッド増幅器ヘッドの試作
   7.3 ロッド主増幅器の総合試験
  8 高平均出力用光学素子要素技術
   8.1 コンポジットロッド
   8.2 負性温度係数物質による熱レンズ補償
   8.3 高平均出力用SBS位相共役鏡
   8.4 新光学材料の開発
   8.5 高熱耐力ファラデー素子
  9 まとめ
 第4章 究極の変換効率の超微粒子広域分散型ターゲットレーザー生成プラズマX線源
  1 はじめに
  2 究極の効率のための条件の解析式による導出
   2.1 効率を求める式
   2.2 短パルスの場合
   2.3 長パルスの場合
   2.4 最適電子密度
   2.5 オパシティの効果と最適レーザー波長
  3 固体平板ターゲットを越える変換効率の実証実験
   3.1 超微粒子広域分散型ターゲット
   3.2 超微粒子広域分散型ターゲットでの高変換効率の実証
  4 微粒子クラスターと懸濁液
   4.1 微粒子クラスター
   4.2 懸濁液液滴の利用
   4.3 懸濁液作成技術の現状
   4.4 高繰り返しターゲット供給法としての懸濁液液滴の重要性
    4.4.1 ターゲットコスト
    4.4.2 連続照射ショット数
   4.5 懸濁液液滴実用化の技術課題
  5 まとめ
 第5章 高出力レーザー生成プラズマEUV光源
  1 はじめに
  2 リソグラフィ用EUV光源開発の課題
  3 高出力レーザー生成プラズマ光源
   3.1 EUV光源システムの基本構成
   3.2 Nd: YAGレーザー生成プラズマ光源
   3.3 SFET用LPP-EUV光源
   3.4 実用EUV光源の構成
   3.5 高出力CO2レーザー
   3.6 ターゲット供給技術
   3.7 EUV集光ミラーの保護技術
  4 まとめ
 第6章 レーザー生成プラズマEUV光源のターゲット材料
  1 はじめに
  2 EUV光源への要求出力
  3 レーザー生成プラズマ光源
  4 液体ジェットまたは液滴ターゲットを用いたレーザー生成プラズマ
  5 レーザー生成リチウムプラズマEUV光源の高効率化
  6 レーザー生成スズプラズマEUV光源の高効率化
  7 参加スズナの粒子混入コロイドターゲットを用いたEUV抗原の特性
  8 まとめ
 第7章 最少質量ターゲットと供給法
  1 はじめに
  2 EUVリソグラフィ用のLPP方式EUV光源に必要なターゲット・レーザー条件
   2.1 EUVリソグラフィに要求される光源仕様
   2.2 EUV放射に適したレーザー・ターゲット条件
   2.3 最少質量を決定する物理
   2.4 最少質量ターゲットから放出される中性・イオンデブリの特性
  3 最小質量ターゲットの供給方法
   3.1 最少質量ターゲットに要求される密度
   3.2 開発されているターゲット供給法の概要
   3.3 ドロップレット方式の現状と課題
   3.4 レーザーパンチアウト法
  4 まとめ
 第8章 放電生成プラズマの最適化
  1 はじめに
  2 電流波形によるプラズマ最適化
   2.1 パルス電流駆動プラズマのダイナミクスとEUV放射
   2.2 EUV放射エネルギーの電流値に対するスケーリング
   2.3 電源の短パルス大電流化,ギャップレス化
   2.4 電流波形制御によるプラズマ挙動とEUV放射特性の制御
  3 マイクロプラズマ計測
   3.1 プラズマの挙動および電子密度
   3.2 トムソン散乱法によるEUVプラズマパラメータ計測
  4 プラズマの軸方向挙動
   4.1 プラズマのZ軸方向の挙動
   4.2 プラズマの挙動とEUV放射過程
  5 外部縦磁場によるプラズマ最適化
  6 Snプラズマの導入
  7 まとめ
 第9章 放電プラズマEUV光源(DPP)
  1 はじめに
  2 DPPの構成と開発要素
  3 ピンチ放電DPP(これまでのXeを用いたDPPの開発)
  4 DPPの高出力化(Snを用いたDPP)
   4.1 スタナン(SnH4)ガスを用いたZ-ピンチDPP
   4.2 回転電極方式DPP
  5 DPPの開発のまとめ
 第10章 EUV光源開発における課題
  1 はじめに
  2 光源の定義
  3 EUV光源に対する要求仕様
   3.1 波長
   3.2 EUVパワー
    3.2.1 スループットモデル
    3.2.2 ステージオーバーヘッド
    3.2.3 コンポーネントの劣化損失
    3.2.4 レジスト感度
   3.3 繰り返し周波数,積算エネルギー安定性
   3.4 光源清浄度
   3.5 エテンデュ
   3.6 スペクトル純度
  4 Joint Requirementsでは明示されていない課題
第II編 EUVリソグラフィ用のマスクとレジスト技術
 第1章 X線多層膜の物理
  1 はじめに
  2 EUV多層膜の高反射率要件
  3 多層膜の光学特性の理論的考察
   3.1 多層膜の基本光学特性
   3.2 反射増加とLayer-by-layer計算法
   3.3 複素平面表示
   3.4 成長曲線と最大反射率
   3.5 最適物質対の選択則
   3.6 多層膜の反射位相
  4 多層膜の表面ミリングによる位相補正
   4.1 物理光学補正
 第2章 EUV用反射型マスク基板
  1 はじめに
  2 ガラス基板材料
  3 研磨プロセス
  4 多層膜
  5 吸収体
  6 まとめ
 第3章 EUV用マスク
  1 EUVマスクの特徴
  2 EUVマスク作成プロセスと各種プロセス技術
   2.1 レジストパターンニング
   2.2 吸収層エッチング
   2.3 欠陥検査
   2.4 欠陥修正
   2.5 バッファ層エッチング
   2.6 測長検査
  3 おわりに
 第4章 EUVレジストの特異性と反応機構
  1 はじめに
  2 化学増幅型レジストの光化学反応と放射線化学反応
  3 ナノ空間反応
  4 EBおよびEUV化学増幅型レジストのナノパターン形成機構
  5 まとめ
 第5章 EUV用レジスト材料
  1 はじめに
  2 EUV用レジストの材料設計
  3 EUV用レジスト材料の要求特性
  4 EUV用レジスト材料の課題
   4.1 解像性
   4.2 感度
   4.3 ラインエッジラフネス
   4.4 脱ガス特性
  5 EUV用新規レジスト開発の現状
   5.1 低分子レジスト開発の現状
  6 まとめ
 第6章 コンタミネーション制御技術
  1 はじめに
  2 EUVリソグラフィにおけるコンタミネーション関連の課題
  3 投影光学系のコンタミネーション制御技術に関する課題と対策
  4 真空環境のコントロールによるコンタミネーション抑制
  5 コンタミネーション成長に耐性の高いキャッピングレーヤの開発
  6 コンタミネーションクリーニング技術
  7 ミラー耐性試験と寿命見積もり
  8 コンタミネーション成長の反応機構と劣化のモデリング
  9 まとめ
 第7章 EUVリソグラフィにおける課題
  1 はじめに
  2 光源の課題
  3 光学系の課題
  4 コンタミネーション制御の課題
  5 マスク周りの課題
  6 レジストの課題
  7 露光装置機構系の課題

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