多層薄膜と材料開発| 最先端技術書・専門書のシーエムシー出版

第1章　積層化によって実現される材料機能　　　　　　　　　　　　　

第2章　層状物質・・・・自然界にある積層構造　　　　　　　　　　　
　1.層状物質の分類
　　1.1　黒鉛
　　1.2　遷移金属二カルコゲン化物
　　1.3　金属・リン三カルコゲン化物
　　1.4　遷移金属酸化物
　　1.5　遷移金属オキシハライド
　　1.6　ケイ酸塩粘土鉱物
　　1.7　4価金属・酸塩
　2.インタカレーション効果(ホスト-ゲスト反応効果)
　　2.1　高導電材料
　　2.2　新超伝導体
　　2.3　電極材料
　　　2.3.1　遷移金属二カルコゲン化物
　　　2.3.2　フッ化黒鉛
　　　2.3.3　アモルファス
　　　2.3.4　その他
　　2.4　エレクトロクロミック材料
　　2.5　水素吸蔵
　　2.6　デインタカレーションによる物質合成
　　2.7　光電極層状半導体
　　2.8　各種セパレータ(イオン交換体,分子ふるい)
　　　2.8.1　粘土層間化合物
　　　2.8.2　4価金属・酸性塩
　　　2.8.3　その他
　　2.9　触媒材料

第3章　金属多層膜
　1.高圧相の実現(Au/Cr/Au)
　2.界面における化合物の形成(A15化合物)
　3.強力固体　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　3.1　はじめに
　　3.2　金属多層膜の一般的特性
　　3.3　弾性定数の増大
　　3.4　弾性異常の理論
　　　3.4.1　弾性異常とその解析
　　　3.4.2　電荷移動効果
　　　3.4.3　超格子構造の効果
　　3.5　金属多層膜の強度
　　3.6　ラミネート複合材の強度および硬度
　　3.7　強力固体設計理論
　　3.8　金属間化合物の強化機構
　　　3.8.1　Kear-Wilsdorf　不動化機構
　　　3.8.2　規則-不規則変態の効果
　　　3.8.3　β黄銅型強化機構
　　　3.8.4　APDサイズ効果
　4.非晶質人工格子　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　4.1　はじめに
　　4.2　人工格子膜の作製方法
　　4.3　人工格子膜の構造
　　4.4　人工格子膜の磁性
　　4.5　非晶質人工格子膜の熱安定性
　　4.6　おわりに
　5.多層膜光磁気メモリー材料　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　5.1　はじめに-光磁気メモリーの特徴-
　　5.2　光磁気メモリーの原理と主なメモリー材料
　　5.3　非晶質希土類・遷移金属合金膜の極磁気光学カー(Kerr)効果
　　5.4　非磁性膜との複合による極磁気光学カー回転角の増大
　　5.5　磁性複合膜による極磁気光学カー回転角の増大
　　5.6　組成変調多層膜(人工格子膜)の光磁気メモリーへの応用の可能性
　　5.7　おわりに
　6.超伝導多層膜　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　6.1　はじめに
　　6.2　擬二次元ジョセフソン結合超伝導体の臨界磁場
　　6.3　その他の研究
　7.多層構造の配線材料　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　7.1　はじめに
　　7.2　ゲート電極・配線
　　　7.2.1　要求される諸性質
　　　7.2.2　多層化の例
　　　7.2.3　将来の動向
　　7.3　AI配線
　　　7.3.1　要求される諸性質
　　　7.3.2　多層化の例
　　　7.3.3　将来の動向
　　7.4　おわりに
　8.その他の応用　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　8.1　アモルファス相の固相反応による形成
　　8.2　イオンビーム混合など改質への応用
　　　8.2.1　イオンビーム混合
　　　8.2.2　イオン注入
　8.3　水素吸蔵

第4章　セラミック多層膜
　1.セラミック人工周期多層膜
　　1.1　セラミック多層膜の構造
　　1.2　磁性材料
　　1.3　中性子ポラライザー
　　1.4　触媒材料
　2.セラミック多層コーティング　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　2.1　はじめに
　　2.2　コーティング法
　　2.3　セラミックコーティング
　　　2.3.1　単相コーティング
　　　2.3.2　多層コーティング
　　2.4　おわりに
　
第5章　半導体超格子-多層膜
　1.半導体超格子-多層膜の分類　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　2.バンド構造の制御　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　2.1　半導体材料の設計
　　2.2　結合軌道モデルによる設計
　　　2.2.1　四配位構造半導体
　　　2.2.2　バンド不連続
　　　2.2.3　結合軌道モデル
　　　2.2.4　半導体混晶
　3.ヘテロ接合界面の利用　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　3.1　高電子移動度トランジスタ(HEMT)
　　　3.1.1　高移動度二次元電子ガス
　　　3.1.2　HEMTの動作原理
　　　3.1.3　HEMTの特性
　　　3.1.4　HEMTの改良
　　3.2　ホットエレクトロン素子(HET)
　　3.3　量子井戸レーザー(SQW,MQW)
　4.超周期効果・・・・・周期一定で積層　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　4.1　ブロッホ振動効果
　　4.2　共鳴トンネル効果
　　4.3　選択反射膜
　　　4.3.1　光導反射膜
　　　4.3.2　X線光学素子
　　　4.3.3　フォノンフィルター
　　4.4　単原子層効果
　　4.5　室温励起子と光双安定デバイス
　　4.6　ヘテロバイポートランジスタ(HBT)
　　4.7　アバランシェフォトダイオード(APD)
　5.不均一積層効果　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　5.1　準周期超格子
　　5.2　チャープ超格子
　　5.3　横積み超格子
　　5.4　量子細線
　　5.5　歪み超格子

第6章　有機多層膜
　1.はじめに　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　2.電子機能材料　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　2.1　異種接合素子
　　2.2　ジョセフソントンネル結合ダイオード
　　2.3　多次元性利用素子
　3.光機能性材料　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　3.1　エレクトロスミネッセンス
　　3.2　エレクトロクロミズム
　　3.3　フォトクロミズム
　　3.4　光メモリ-
　　3.5　光電交換
　　　3.5.1　有機光導電体(OPC)
　　　3.5.2　有機太陽電池
　　3.6　光集積回路
　　　3.6.1　非線形光学
　　　3.6.2　光導波路
　　3.7　その他
　4.化学機能材料　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　4.1　はじめに
　　4.2　マイクロリソグラフィー用レジスト
　　4.3　センサー
　5.その他の応用　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　5.1　バイオ素子
　　5.2　平面放射線源
　　5.3　回析格子