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月刊ファインケミカル 2025年12月号

【特集】分子が織りなす磁性の未来

★情報化社会の進展に伴い,分子レベルでの精密な構造制御により,これまでの材料では困難だった高機能な磁性発現への期待が高まっている。本特集では,センサー,情報記録,スピントロニクス,量子コンピューティングといった分野への応用が期待される磁性材料の技術の最先端を担う研究者・技術者の皆様にご執筆いただき,その最新動向を深く掘り下げる。

商品コード:
F2512
発行日:
2025年12月15日
体裁:
B5判
ISSNコード:
0913-6150

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キーワード:

スピンクロスオーバー(SCO)錯体 / 単分子磁石(SMM) / 分子スピン量子ビット(MSQ) / 遅い磁気緩和 / 分子スピントロニクス / 量子情報科学 / 金属-有機構造体・ゲスト吸脱着・物質輸送・ゲスト誘起電荷移動・電子状態変換・磁気相変換 / 単分子スピントロニクス / 単分子接合 / 磁気抵抗効果 / 分子磁性体 / 有機ラジカル / 磁気的性質 / 自己集積 / 構造-磁性相関 / 有機ラジカル / 単鎖磁石 / 相転移 / 希土類 / ヘテロスピン / 4f-2p / 4f-3d-2p / 磁気ヒステリシス、テルビウム(Ⅲ)錯体 / シアニド架橋骨格 / 脱溶媒和・再水和 / 単一イオン磁石 / 磁気緩和 / 発光温度計 / モニタリング機能 / 多機能ランタニド材料

著者一覧

速水真也 熊本大学
宮坂 等 東北大学
山田 亮 大阪大学
Rachmat,Andika 大阪大学
夛田博一 大阪大学
吉岡直樹 慶應義塾大学
瀧井優臣 慶應義塾大学
石田尚行 電気通信大学
STEFANCZYK Olaf 東京大学
大越慎一 東京大学

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【特集】分子が織りなす磁性の未来

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スピンクロスオーバー錯体の遅い磁化緩和現象と分子量子機能
Slow Magnetic Relaxation Phenomena and Molecular Quantum Functions in Spin-Crossover Complexes

スピンクロスオーバー(SCO)錯体は,外部刺激により高スピン(HS)/低スピン(LS)状態を可逆に切り替える特性を持ち,分子磁性の精密制御を可能とする。本総説では,SCO 錯体の特性を基盤として,単分子磁石(SMM)および分子スピン量子ビット(MSQ)との融合的機能について概説する。

【目次】
1 はじめに
2 遅い磁気緩和のメカニズム:SMM とMSQ
3 スピンクロスオーバー錯体における単分子磁石(SMM)特性
4 スピンクロスオーバー錯体と分子スピン量子ビット(MSQ)
5 まとめ

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酸化還元活性な金属-有機構造体におけるゲスト誘起電荷移動による電子的,磁気的改変
Electronic and Magnetic Modification via Guest-Induced Charge Transfer in Redox-Active Metal-Organic Frameworks

「格子の電荷・磁気秩序」と「空間における物質輸送」という本質的に異なる二つの要素を同時に制御し,両者を協奏的に機能させるという発想は,錯体格子ならではの高度な機能設計であると同時に,生体系における物質・電子伝達系を想起させる分子材料でもある。本稿では,この概念を体現する次世代スマートマテリアルへと直結する精緻な分子設計と機能設計の最前線を紹介する。

【目次】
1 はじめに
2 電解移動型MOFの設計と電荷移動の調整
3 ゲスト応答で相転移温度を変える強磁性体
4 ゲスト分子の違いで磁気相を変える
5 格子-ゲストの水素結合がカギとなる電荷移動
6 二酸化炭素による磁石-非磁石変換
7 おわりに

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単分子接合における磁気抵抗効果
Magnetoresistance in Single-Molecule Junctions

電極間に一つの分子を架橋させた構造を単分子接合と呼ぶ。単分子接合の作製技術および電機的特性の測定技術は,ここ20 年ほどで急速に進展し,多彩な分子における電荷の注入・輸送に関する理解が深まった1)。電極材料もAuだけでなく,Niなどの強磁性電極も利用され,電気伝導度の温度依存性や磁場依存も測定が可能となるなど,単分子接合の電子物性の研究はナノスケールの電子物性を研究する分野の一つとして確立した。本稿では,単分子接合の電子状態の考え方と作製方法を述べたのち,電気伝導特性における外部磁場の効果を紹介する。


【目次】
1 はじめに
2 ジヒドロキノリンN-オキシル系ラジカル
3 ベンゾトリアジニル系ラジカル
4 おわりに

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基底三重項ビスニトロキシドとそれらを基盤とする4f および4f/3d鎖状錯体
Ground-State Triplet Bisnitroxides as Building Blocks for 4f and 4f/3d Coordination Chains

m-フェニレンビスニトロキシドの結晶固体ではスピン転移様の挙動を見せるものがあり,クロミック材料としても興味が持たれる。希土類イオンとビスニトロキシド配位子をRE/L=1/1で交互配置した錯体から,磁気ヒステリシスを示す単鎖磁石を得た。さらに遷移金属イオンも用いてRE/TM/L=1/1/2の単鎖磁石を得た。

【目次】
1 はじめに
2 基底三重項ジラジカルのスピン転移
3 配位子としての基底三重項ジラジカル
4 4fイオンをジラジカルで架橋した鎖状錯体
5 4f/3dイオンをジラジカルで架橋した鎖状錯体
6 まとめ

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高対称テルビウム(Ⅲ)単分子磁石における発光特性とその応用          
Luminescent Properties of Highly Symmetric Terbium(Ⅲ)Monomolecular Magnets and Their Applications
 
本研究では,Tb-Coシアニド骨格化合物において,配位対称性の向上が磁気異方性と発光特性を同時に強化することを紹介する。単一イオン磁石として遅い磁気緩和とTb3+の発光が同一温度域で示し,発光を用いた温度モニタリング機能を実現する。

【目次】
1 序論
2 結果および考察

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[マーケット情報]

医薬品工業の市場動向

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[ケミカルプロフィル]

エチルアミン類(Ethylamines)
エチレングリコールジメチルエーテル類(Ethylene glycol dimethyl ether)
過ホウ酸ソーダ(Sodium perborate)

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[ニュースダイジェスト]

・海外編
・国内編

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