【第I編　総論】
第1章　リソグラフィープロセス概論
1　はじめに
2　リソグラフィープロセス
3　3層レジストプロセス
4　DFR積層レジストプロセス
5　マルチパターニング技術
6　表面難溶化層プロセス
7　ナノインプリント技術
8　PEB (Post exposure bake) 技術
9　CEL(Contrast enhanced lithography) 法
10　反射防止膜(BARC)
11　イメージリバーサル技術
12　液浸露光技術
13　超臨界乾燥プロセス
14　シランカップリング処理
15　位相シフトプロセス

第2章　フォトレジスト材料の技術革新の歴史
1　はじめに
2　技術の変遷
3　ゴム系ネガ型レジスト
4　ノボラック-NQD ポジ型レジスト
5　化学増幅レジスト― i 線ネガ型レジストからKrF ネガ型レジスト―
6　KrF 化学増幅ポジ型レジスト
7　ArF 化学増幅ポジ型レジスト
8　ArF 液浸露光用化学増幅レジスト
9　EUV レジスト
10　その他のリソグラフィ用材料
10. 1　EB
10. 2　DSA
10. 3　ナノインプリント
11　まとめ

【第II編　フォトレジスト材料の開発】
第1章　新規レジスト材料の開発
1　はじめに
2　極端紫外線露光装置を用いた次世代レジスト材料
3　分子レジスト材料
4　分子レジスト材料の例
4. 1　カリックスアレーンを基盤とした分子レジスト材料
4. 2　フェノール樹脂タイプ
4. 3　特殊骨格タイプ
4. 4　光酸発生剤(PAG)含有タイプ
4. 5　金属含有ナノパーティクルを用いた高感度化レジスト材料の開発
4. 6　主鎖分解型ハイパーブランチポリアセタール
5　おわりに

第2章　酸・塩基増殖反応を利用した超高感度フォトレジスト材料
1　はじめに
2　酸増殖レジスト
2. 1　酸増殖ポリマーの設計と分解挙動
2. 2　感光特性評価
2. 3　EUV レジストとしての評価
3　塩基増殖レジスト
3. 1　ネガ型レジストへの塩基増殖剤の添加効果
3. 2　塩基増殖ポリマーの設計
4　おわりに

第3章　光増感による高感度開始系の開発
1　はじめに
2　増感反応
3　励起一重項電子移動反応
4　光誘起電子移動反応を用いた高感度酸発生系
5　光電子移動反応を用いた高感度光重合系
6　連結型分子による分子内増感
7　光増感高感度開始系の産業分野での応用

第4章　光酸発生剤とその応用
1　はじめに
2　光酸発生剤の開発
3　光酸発生剤の応用研究
4　おわりに

第5章　 デンドリマーを利用したラジカル重合型UV 硬化材料
1　はじめに
2　デンドリティック高分子を利用したUV 硬化材料の研究背景
3　デンドリマー型UV 硬化材料の大量合成
3. 1　“ダブルクリック”反応によるデンドリマー骨格母体の合成～多段階交互付加(AMA)　
　　 法
3. 2　デンドリマーの末端修飾によるポリエンデンドリマーの合成
4　デンドリマーを用いたUV 硬化材料の特性評価
4. 1　エン・チオール光重合
4. 2　ポリアリルデンドリマー系UV 硬化材料の特性評価
4. 3　ポリノルボルネンデンドリマー系UV 硬化材料の特性評価
4. 4　多成分混合系UV 硬化材料
5　おわりに

第6章　自己組織化(DSA)技術の最前線
1　はじめに
2　ブロック共重合体の誘導自己組織化技術
2. 1　ブロック共重合体リソグラフィ
2. 2　グラフォエピタキシ技術
2. 3　化学的エピタキシ技術
3　DSA 材料
3. 1　高χブロック共重合体材料
3. 2　中性化層材料
4　終わりに

第7章　EUV レジスト技術の現状と今後の展望
1　はじめに
2　フォトレジスト材料の変遷
3　EUV レジスト材料
3. 1　化学増幅型ポジレジスト
3. 2　化学増幅型ネガレジスト(EUV-NTI(ネガティブトーンイメージング))
3. 3　新規EUV レジスト(非化学増幅型メタルレジスト)
4　おわりに

【第III編　フォトレジスト特性の最適化と周辺技術】
第1章　最適化のための技術概論
1　はじめに
2　感度曲線とコントラスト
3　スピンコート特性
4　表面エネルギーによる付着剥離性の解析
4.1　分散・極性成分
4.2　接触角法による分散・極性成分の測定方法
4.3　拡張係数Sによるレジスト液の広がり評価
4.4　拡張係数Sによる液中での付着評価

第2章　UV レジストの硬化特性と離型力
1　はじめに
2　UV ナノインプリントプロセス
3　UV 硬化特性および硬化樹脂の特性評価方法
4　硬化樹脂の構造と機械的特性
5　離型力に及ぼす硬化樹脂の貯蔵弾性率の影響
6　おわりに

第3章　多層レジストプロセス
1　多層レジストプロセスの動向
1.1　はじめに
1.2　多層レジストプロセスの必要性
1.3　3層レジストプロセス
1.4　Si含有2層レジストプロセス
1.5　DFR積層レジストプロセス
2　ハーフトーンマスク用の多層レジスト技術(LCD)
2. 1　はじめに
2. 2　実験
2. 2. 1　 下層レジストと上層レジストの決定
2. 2. 2　下層レジストの感度に対するプリベーク温度依存性
2. 2. 3　上層レジストの感度のプリベーク温度依存性
2. 2. 4　プリベーク温度決定後のレジスト2 層塗布
2. 2. 5　中間層の検討
2. 3　結果と考察
2. 3. 1　各レジストの感度曲線
2. 3. 2　下層レジスト,上層レジストの感度曲線
2. 3. 3　プリベーク温度決定後の2 層レジスト
2. 3. 4　中間層の検討
2. 3. 5　3 層レジストの評価
2. 4　おわりに

第4章　フォトレジストの除去特性(ドライ除去)
1　還元分解を用いたレジスト除去
1. 1　はじめに
1. 2　原子状水素発生装置
1. 3　レジストの熱収縮,レジスト除去速度の水素ガス圧依存性,基板への影響についての実験条件
1. 4　追加ベーク温度,時間に対するレジストの熱収縮率評価結果
1. 5　水素ガス圧力を変化させたときのレジスト除去速度
1. 6　到達基板温度とレジスト除去速度との関係
1. 7　原子状水素照射によるPoly-Si,SiO2,SiN 膜のパターン形状への影響
1. 8　おわりに
2　酸化分解を用いたレジスト除去
2. 1　はじめに
2. 2　実験
2. 2. 1　湿潤オゾンによるイオン注入レジスト除去
2. 2. 2　イオン注入レジストの硬さ評価
2. 3　結果と考察
2. 3. 1　 湿潤オゾンによるイオン注入レジスト除去
2. 3. 2　イオン注入レジストの硬さ
2. 3. 3　イオン注入レジストの硬化のメカニズム
2. 4　結論

第5章　フォトレジストの除去特性(湿式除去)
1　はじめに
2　現状の技術
3　湿式によるレジスト除去方法の分類
3. 1　溶解・膨潤による方法
3. 2　酸化・分解による方法
4　湿式によるレジスト除去特性事例
4. 1　概要
4. 2　物性と特徴
4. 3　機構
4. 4　レジスト除去のシミュレーション
4. 5　レジスト除去速度比較
4. 6　金属配線のダメージ比較
4. 7　膜表面残留物比較
5　おわりに

第6 章　フォトレジストプロセスに起因した欠陥
1　はじめに
2　レジスト膜の表面硬化層
3　濡れ欠陥(ピンホール)
4　ポッピング
5　環境応力亀裂(クレイズ)
6　乾燥むら

【第IV編　材料解析・評価】
第1章　レジストシミュレーション
1　はじめに
2　VLES の概要
3　VLES 法のための評価ツール
4　露光ツール(UVES およびArFES システム)
5　現像解析ツール(RDA)
5. 1　測定原理
5. 2　現像速度を利用した感光性樹脂の現像特性の評価
6　リソグラフィーシミュレーションを利用したプロセスの最適化-1
6. 1　シングルシミュレーション
6. 1. 1　CD Swing Curve
6. 1. 2　Focus-Exposure Matrix
7　リソグラフィーシミュレーションを利用したプロセスの最適化-2
7. 1　ウェハ積層膜の最適化
7. 2　光学結像系の影響の評価
7. 3　OPC の最適化
7. 4　プロセス誤差の影響予測とLER の検討
8　まとめ

第2章　EUVレジストの評価技術
1　EUVリソグラフィとEUV レジスト材料
1. 1　EUVリソグラフィの背景
1. 2　EUVレジスト材料と技術課題
2　EUVレジストの評価技術
2. 1　量産向けEUV露光装置
2. 2　EUVレジストの評価項目
2. 3　EUV光透過率評価
2. 4　EUVレジストからのアウトガス評価
2. 5　EUVレジストの感度・解像度に係わる評価
2. 6　新プロセスを採用したEUVレジストの評価

第3 章　フォトポリマーの特性評価
1　はじめに
2　ベース樹脂の設計 ―部分修飾によるレジスト特性の制御と最適化―
2. 1　ベース樹脂の設計指針
2. 2　tBOC-PVPのtBOC化率とレジストの溶解速度および感度との相関
2. 3　tBOC-PVPのtBOC化率とレジスト解像度との相関
3　溶解抑制剤の設計(その1)―未露光部の溶解抑制によるレジスト高解像度化―
3. 1　溶解抑制剤の設計指針
3. 2　プロセス条件の最適化
3. 3　フェノール系溶解抑制剤の融点と未露光部の溶解速度との関係
3. 4　溶解抑制剤の化学構造と未露光部の溶解速度との関係
3. 5　カルボン酸系溶解抑制剤の分子量とレジストの溶解速度との関係
4　溶解抑制剤の設計(その2)―露光部の溶解促進によるレジスト高解像度化―
4. 1　溶解促進剤の設計指針
4. 2　溶解促進剤のpKaと膜の溶解速度との関係
4. 3　溶解抑制剤の化学構造とレジスト特性との関係
5　酸発生剤の設計 ―レジスト高感度化―
5. 1　酸発生剤の設計指針
5. 2　レジスト感度の酸発生剤濃度依存性
5. 3　酸発生剤の種類とレジスト感度との相関
6　高感度・高解像度レジストの開発
7　おわりに

第4章　ナノスケール寸法計測(プローブ顕微鏡)
1　はじめに
2　AFMを用いた寸法測定の誤差要因
3　高分子集合体の凝集性と寸法制御
4　LER (line edge roughness)

第5章　付着凝集性解析(DPAT法)による特性評価
1　はじめに
2　DPAT法
3　レジストパターン付着性の熱処理温度依存性
4　レジストパターン付着性のサイズ依存性
5　パターン形状と剥離性
6　溶液中のパターン付着性
7　レジストパターンのヤング率測定

【第V編　応用展開】
第1章　 フォトレジストを用いた電気めっき法による微細金属構造の創製
1　諸言
2　各種微細金属構造の創製
2. 1　積層めっきと選択的溶解による微細金属構造の創製
2. 2　電気めっき法による鉛フリーはんだバンプの形成
2. 3　電気めっき法による金属/カーボンナノチューブ複合体パターンの形成
2. 4　内部空間を有する金属立体構造の創製
3　おわりに

第2章　 ナノメートル級の半導体用微細加工技術と今後の展開
1　半導体微細加工技術について
2　極端紫外線リソグラフィ技術
3　EUV リソグラフィの現状と今後の展開
3. 1　EUV 光源開発
3. 2　EUV 用露光装置
3. 3　EUV レジスト
4　まとめと今後の展望

第3章　3 次元フォトリソグラフィ
1　背景
2　スプレー成膜
3　スプレー成膜に関係する気流特性
4　露光技術
5　応用デバイス
6　まとめ

【第VI編　レジスト処理装置】
第1章　塗布・現像装置の技術革新
1　はじめに
2　スピン塗布プロセスの実際
2. 1　スピンプログラム
2. 2. 1　塗布プロセスの影響
⑴　高速回転時間の影響
⑵　塗布時の湿度の影響
3　HMDS 処理
3. 1　HMDS の原理
3. 1. 1　HMDS 処理効果の確認
4　プリベーク
5　現像技術の概要
5. 1　ディップ現像
5. 2　スプレー現像
5. 3　パドル現像
5. 4　ソフトインパクトパドル現像

第2章　密着強化処理(シランカップリング処理)の最適化技術
1　はじめに
2　HMDSによる表面疎水化処理
3　HMDS処理プロセスの最適化
4　HMDS処理装置
5　HMDS処理によるレジスト密着性と付着性制御
6　おわりに

第3章　露光装置の進展の歴史と技術革新
1　露光装置の歴史
2　ステッパー
3　超解像技術による微細化
4　スキャナー方式の登場と液浸露光による超高NA 化
5　最新の液浸露光装置
6　EUV リソグラフィーの開発と最新状況